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為5G解決方案鋪路_發(fā)布射頻芯片原型

近日來,由臺灣工研院資通發(fā)布了小型基站功率放大器芯片封裝模塊原型,基于4G LTE 2.5~2.7GHz (Band-41)上運(yùn)作,符合Picocell 功耗為27dBm,ACLR大于47dBc的規(guī)格。

如今小型基地臺使用的功率放大器中,輸出功率一般不超過1W。隨著通信需求帶寬的提升,使得功率放大器的線性度設(shè)計(jì)變得非常困難。在電磁波頻率低于100khz時(shí),電磁波會被地表吸收而不能形成有效的傳輸,但電磁波頻率高于100kHz時(shí),電磁波可以在空氣中傳播,并經(jīng)大氣層外緣的電離層反射,形成遠(yuǎn)距離傳輸能力,具有遠(yuǎn)距離傳輸能力的高頻電磁波稱為射頻。射頻技術(shù)在無線通信領(lǐng)域中被廣泛使用,在高頻率高帶寬通信中,小型基站主要用于補(bǔ)盲場景中,它的使用可以提高整體系統(tǒng)容量。隨著帶寬的不斷加大,輸出頻率的限制讓小型基站設(shè)計(jì)越來越艱難。

為5G解決方案鋪路_發(fā)布射頻芯片原型

目前6GHz以下的頻譜,主要從傳統(tǒng)的2GHz,慢慢延伸到3GHz~5GHz,而3.5GHz則是相當(dāng)多國家首先展開部署的一個5G頻段,而因信道的帶寬已大幅提升,從過去的20MHz提升到5G 6GHz頻段以下的200MHz,若是到毫米波頻段的話,則是將達(dá)400MHz, 這對射頻組件來說,是一大挑戰(zhàn)。 該技術(shù)的開發(fā),主要以提升線性度與效率為方向,首先整合了SMD被動組件于SiP封裝模塊,最后則整合于小型基站進(jìn)行訊號傳輸。